ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET，推动电源应用迈向更环保、更安全的新高度

意法半导体（STMicroelectronics）宣布推出世界首款1500V超结功率MOSFET，标志着功率半导体技术取得重大突破。该产品将助力电源应用实现更高效率、更高可靠性，并推动电子系统向更环保、更安全的方向发展。

超结技术通过在器件漂移区引入交替的P型和N型柱，显著降低导通电阻与寄生电容，从而在高压下实现更优的开关性能。ST此次将超结技术的耐压等级提升至1500V，填补了市场空白，为工业电源、电焊机、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高压应用提供了理想的功率开关解决方案。

在环保方面，该MOSFET具有极低的导通损耗和开关损耗，可大幅提升电源转换效率，减少能源浪费。其高耐压特性允许简化电路拓扑，减少外围元件数量，有助于降低系统成本和体积，促进资源节约。器件符合RoHS标准，不含铅等有害物质，满足绿色环保要求。

在安全方面，1500V的超高耐压为系统提供了充足的电压裕量，增强了抗浪涌和抗雷击能力，降低了因过压导致器件失效的风险。优异的开关特性可抑制电磁干扰，提升系统稳定性。针对电焊机等严苛应用，该器件具备高雪崩耐量和强固的体二极管，确保在恶劣工况下可靠运行，保障用户安全。

ST的1500V超结功率MOSFET采用先进的封装技术，如TO-247 LONG LEAD，提供低热阻和良好的绝缘性能。样品现已开始供应，预计将于2024年下半年量产。该产品的推出将进一步巩固ST在高压功率半导体领域的领先地位，并为电源设计工程师提供更多创新可能，共同推动可持续发展。